Infineon

Półprzewodniki

KATEGORIE

Wyświetlono 281 - 300 z 10077 produktów
Porównaj wybrane produkty 0/8
Wyświetl jako:
Cena
(netto / bez podatku VAT)
Opis
Informacje o produkcie
  • 2,98 zł
    za szt. (10 na rolce)
MOSFET N-kanałowy 2,6 A SOT-223 150 V SMD Pojedynczy 2,8 W 185 mΩ
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu2,6 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło150 V
  • Typ opakowaniaSOT-223
  • SeriaHEXFET
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 63,00 złza szt.
Sterownik bramki MOSFET 28-pinowy 0,5 A PDIP IR2130PBF Trójfazowy 20V
  • Prąd wyjściowy0,5 A
  • Napięcie zasilania20V
  • Liczba styków28
  • Typ opakowaniaPDIP
  • Liczba wyjść6
Podobne produkty w kategorii Sterowniki bramki
  • 1,36 zł
    za szt. (opak. á 5)
MOSFET N-kanałowy 20 A TDSON 60 V SMD Pojedynczy 2.1 W 17,9 milioma
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu20 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło60 V
  • SeriaOptiMOS™ 3
  • Typ opakowaniaTDSON
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 4,71 zł
    za szt. (opak. á 20)
Układ przełącznika zasilania SOT-223 SMD NMOS 60 V Strona wysoka
  • Topologia przełącznika zasilaniaStrona wysoka
  • Typ wyłącznika zasilaniaNMOS
  • Rezystancja przełączania
  • Maksymalne robocze napięcie zasilania60 V
  • Liczba wyjść1
Podobne produkty w kategorii Układy scalone wyłączników zasilania
  • 7,78 zł
    za szt. (w tubie á 25)
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-247AC 200 V Pojedynczy 300 W 40 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu50 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło200 V
  • Typ opakowaniaTO-247AC
  • SeriaHEXFET
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 24,35 złza szt.
IGBT Ic 100 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy 333 W
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora100 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter600 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy333 W
  • Typ opakowaniaTO-247
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 6,16 zł
    za szt. (w tubie á 50)
MOSFET N-kanałowy 23 A TO-220AB 150 V Pojedynczy 136 W 90 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu23 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło150 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaTO-220AB
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 861,51 zł
    szt. (na tacce 10)
Moduł IGBT Ic 200 A Uce 1200 V AG-ECONO3-4 3-fazy kanał: N 700 W
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora200 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1200 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy700 W
  • Typ opakowaniaAG-ECONO3-4
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 25,00 zł
    za szt. (opak. á 2)
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora50 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1200 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy349 W
  • Typ opakowaniaTO-247
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 33,53 zł
    za szt. (w tubie á 30)
MOSFET N-kanałowy 34,6 A TO-247 650 V Pojedynczy 313 W 100 mΩ
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu34,6 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło650 V
  • SeriaCoolMOS™ C3
  • Typ opakowaniaTO-247
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 3,16 zł
    za szt. (opak. á 20)
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 4,9 A; 6,5 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2 W 46 mΩ, 98 mΩ
  • Typ kanałuN, P
  • Maksymalny ciągły prąd drenu4,9 A; 6,5 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło30 V
  • Typ opakowaniaSOIC
  • SeriaHEXFET
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 0,50 zł
    za szt. (3000 na rolce)
Cyfrowy tranzystor NPN SOT-363 (SC-88) 50 V Montaż powierzchniowy 100 mA BCR116SH6327XTSA1
  • Typ tranzystoraNPN
  • Maksymalny prąd DC kolektora100 mA
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter50 V
  • Typ opakowaniaSOT-363 (SC-88)
  • Typ montażuMontaż powierzchniowy
Podobne produkty w kategorii Tranzystory bipolarne
  • 1,46 zł
    za szt. (opak. á 50)
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-23 16 V Montaż powierzchniowy 210 mA BFR106E6327HTSA1
  • Typ tranzystoraNPN
  • Maksymalny prąd DC kolektora210 mA
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter16 V
  • Typ opakowaniaSOT-23
  • Typ montażuMontaż powierzchniowy
Podobne produkty w kategorii Tranzystory bipolarne
  • 1,83 zł
    za szt. (5000 na rolce)
MOSFET N-kanałowy 20 A TDSON 60 V SMD Pojedynczy 2,1 W 17,9 milioma
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu20 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło60 V
  • Typ opakowaniaTDSON
  • SeriaOptiMOS™ 3
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 10,81 zł
    za szt. (opak. á 10)
MOSFET N-kanałowy 25 A D2PAK (TO-263) 250 V SMD Pojedynczy 136 W 60 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu25 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło250 V
  • SeriaOptiMOS™ 3
  • Typ opakowaniaD2PAK (TO-263)
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 3,10 zł
    za szt. (800 na rolce)
MOSFET N-kanałowy 18 A D2PAK (TO-263) 200 V SMD Pojedynczy 150 W 150 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu18 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło200 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaD2PAK (TO-263)
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 7,31 zł
    za szt. (w tubie á 50)
MOSFET N-kanałowy 100 A TO-220 120 V Pojedynczy 300 W 4,8 milioma
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu100 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło120 V
  • SeriaOptiMOS™ 3
  • Typ opakowaniaTO-220
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 15,06 zł
    za szt. (w tubie á 25)
IGBT Ic 31 A Uce 600 V TO-247AC Pojedynczy kanał: N
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora31 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter600 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Typ opakowaniaTO-247AC
  • Typ montażuOtwór przezierny
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 5,07 zł
    za szt. (w tubie á 75)
MOSFET N-kanałowy 160 A IPAK (TO-251) 30 V Pojedynczy 135 W 3 miliomy
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu160 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło30 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaIPAK (TO-251)
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 19,73 zł
    za szt. (w tubie á 30)
IGBT Ic 50 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora50 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1200 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy349 W
  • Typ opakowaniaTO-247
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
Ostatnio wyszukiwane
FAQ
W czym możemy pomóc?
Kontakt z Działem Obsługi Klienta:
22 223 11 11