Elementy dyskretne
KATEGORIE
Elementy dyskretne
(50)
Diody PIN
(58)
Diody przełączające
(79)
Diody TVS
(20)
Prostowniki mostkowe
(234)
Tranzystory bipolarne
(939)
Tranzystory IGBT
(4306)
Tranzystory MOSFET
(157)
Tyrystory
Cena (netto / bez podatku VAT) | Opis | Informacje o produkcie |
|
MOSFET N-kanałowy 343 A TO-220AB 40 V Pojedynczy 375 W 2 miliomy
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 343 A TO-220AB 40 V Pojedynczy 375 W 2 miliomy
|
|
|
Moduł IGBT Ic 55 A Uce 1200 V Econo3 3-fazy kanał: N 210 W
|
|
|
Moduł IGBT Ic 55 A Uce 1200 V ECONO3 3-fazy kanał: N 210 W
|
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 306 W
|
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 306 W
|
|
|
Moduł IGBT Ic 440 A Uce 1200 V AG-62MM-1 Szereg kanał: N 1450 W
|
|
|
Moduł IGBT Ic 440 A Uce 1200 V AG-62MM-1 Szereg kanał: N 1450 W
|
|
|
IGBT Ic 60 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 187 W
|
|
|
IGBT Ic 60 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 187 W
|
|
|
IGBT Ic 74 A Uce 650 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 250 W
|
|
|
IGBT Ic 74 A Uce 650 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 250 W
|
|
|
MOSFET P-kanałowy 80 A TO-220 30 V Pojedynczy 137 W 7 miliomów
|
|
|
MOSFET P-kanałowy 80 A TO-220 30 V Pojedynczy 137 W 7 miliomów
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 90 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 136 W 3,6 milioma
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 20,2 A TO-247 650 V Pojedynczy 151 W 190 mΩ
|
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 483 W
|
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 483 W
|
|
|
Tranzystor bipolarny o częstotliwości radiowej (RF) NPN SOT-89 15 V Montaż powierzchniowy 75 mA BFQ19SH6327XTSA1
|
||
|
MOSFET N-kanałowy 20 A TO-247 650 V Pojedynczy 151 W 190 miliomów
|
Ostatnio wyszukiwane
