Elementy dyskretne
KATEGORIE
Elementy dyskretne
(50)
Diody PIN
(58)
Diody przełączające
(79)
Diody TVS
(20)
Prostowniki mostkowe
(234)
Tranzystory bipolarne
(939)
Tranzystory IGBT
(4306)
Tranzystory MOSFET
(157)
Tyrystory
Cena (netto / bez podatku VAT) | Opis | Informacje o produkcie |
|
MOSFET P-kanałowy 80 A TO-220 30 V Pojedynczy 137 W 7 miliomów
|
|
|
Moduł IGBT Ic 900 A Uce 1200 V PrimePACK2 Szereg kanał: N 510 kW
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 40 A TSDSON 40 V SMD Pojedynczy 35 W 14,2 milioma
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 40 A TSDSON 40 V SMD Pojedynczy 35 W 14,2 milioma
|
|
|
Moduł IGBT Ic 55 A Uce 1200 V ECONO3 3-fazy kanał: N 210 W
|
|
|
Moduł IGBT Ic 55 A Uce 1200 V EconoPIM2 3-fazy kanał: N 210 W
|
|
|
IGBT Ic 100 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 333 W
|
|
|
IGBT Ic 100 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 333 W
|
|
|
Moduł IGBT Ic 55 A Uce 1200 V ECONO3 3-fazy kanał: N 210 W
|
|
|
Moduł IGBT Ic 55 A Uce 1200 V EconoPIM2 3-fazy kanał: N 210 W
|
|
|
MOSFET P-kanałowy 2,3 A SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 1,25 W 165 mΩ
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-247AC 200 V Pojedynczy 300 W 40 mΩ
|
|
|
MOSFET P-kanałowy 120 A TO-220 40 V Pojedynczy 136 W 5,2 milioma
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 17 A DPAK (TO-252) 100 V SMD Pojedynczy 79 W 155 miliomów
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-247AC 200 V Pojedynczy 300 W 40 miliomów
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 17 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 79 W 150 miliomów
|
|
|
MOSFET P-kanałowy 120 A TO-220 40 V Pojedynczy 136 W 5,2 milioma
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 17 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 79 W 150 miliomów
|
|
|
Cyfrowy tranzystor NPN SOT-23 50 V Montaż powierzchniowy 100 mA BCR133E6327HTSA1
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 17 A DPAK (TO-252) 100 V SMD Pojedynczy 79 W 155 miliomów
|
Ostatnio wyszukiwane
