Infineon

Półprzewodniki

KATEGORIE

Wyświetlono 41 - 60 z 10077 produktów
Porównaj wybrane produkty 0/8
Wyświetl jako:
Cena
(netto / bez podatku VAT)
Opis
Informacje o produkcie
  • 223,37 zł
    za szt. (w opak. á 15)
Moduł IGBT Ic 54 A Uce 1200 V EASY2B 3-fazy kanał: N 215 W
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora54 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1200 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy215 W
  • Typ opakowaniaEASY2B
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 12,22 zł
    za szt. (w tubie á 50)
MOSFET P-kanałowy 120 A TO-220 40 V Pojedynczy 136 W 5,2 milioma
  • Typ kanałuP
  • Maksymalny ciągły prąd drenu120 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło40 V
  • SeriaOptiMOS P
  • Typ opakowaniaTO-220
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 1,83 zł
    za szt. (3000 na rolce)
MOSFET N-kanałowy 17 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 79 W 150 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu17 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło100 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaDPAK (TO-252)
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 3,56 zł
    za szt. (opak. á 20)
MOSFET N-kanałowy 17 A DPAK (TO-252) 100 V SMD Pojedynczy 79 W 155 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu17 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło100 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaDPAK (TO-252)
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 5,03 zł
    za szt. (w tubie á 50)
MOSFET N-kanałowy 110 A TO-220AB 55 V Pojedynczy 200 W 8 mΩ
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu110 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło55 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaTO-220AB
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 3,62 zł
    za szt. (opak. á 25)
MOSFET N-kanałowy 17 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 79 W 150 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu17 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło100 V
  • Typ opakowaniaDPAK (TO-252)
  • SeriaHEXFET
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 0,22 zł
    za szt. (3000 na rolce)
Cyfrowy tranzystor NPN SOT-23 50 V Montaż powierzchniowy 100 mA BCR133E6327HTSA1
  • Typ tranzystoraNPN
  • Maksymalny prąd DC kolektora100 mA
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter50 V
  • Typ opakowaniaSOT-23
  • Typ montażuMontaż powierzchniowy
Podobne produkty w kategorii Tranzystory bipolarne
  • 247,91 złza szt.
Moduł IGBT Ic 54 A Uce 1200 V EASY2B 3-fazy kanał: N 215 W
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora54 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1200 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy215 W
  • KonfiguracjaMostek 3 fazowy
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 0,42 zł
    za szt. (opak. á 200)
Cyfrowy tranzystor NPN SOT-23 50 V Montaż powierzchniowy 100 mA BCR133E6327HTSA1
  • Typ tranzystoraNPN
  • Maksymalny prąd DC kolektora100 mA
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter50 V
  • Typ opakowaniaSOT-23
  • Typ montażuMontaż powierzchniowy
Podobne produkty w kategorii Tranzystory bipolarne
  • 16,88 złza szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-247AC 200 V Pojedynczy 300 W 40 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu50 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło200 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaTO-247AC
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 9,50 zł
    za szt. (w tubie á 500)
MOSFET P-kanałowy 120 A TO-220 40 V Pojedynczy 136 W 5,2 milioma
  • Typ kanałuP
  • Maksymalny ciągły prąd drenu120 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło40 V
  • SeriaOptiMOS P
  • Typ opakowaniaTO-220
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 15,69 zł
    za szt. (opak. á 2)
Kontroler PWM 65 kHz Otwór przezierny 8 -pinowy Infineon DIP
  • Maksymalna częstotliwość przełączania65 kHz
  • Napięcie wyjściowe650 V
  • Prąd wyjściowy9.95 A
  • Liczba wyjść1
  • Metoda sterowaniaNatężenie
Podobne produkty w kategorii PWM
  • 13,10 zł
    za szt. (w tubie á 25)
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-247AC 200 V Pojedynczy 300 W 40 mΩ
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu50 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło200 V
  • SeriaHEXFET
  • Typ opakowaniaTO-247AC
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 1,19 zł
    za szt. (opak. á 20)
MOSFET P-kanałowy 2.3 A SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 1.25 W 165 miliomów
  • Typ kanałuP
  • Maksymalny ciągły prąd drenu2.3 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło30 V
  • Typ opakowaniaSOT-23
  • SeriaHEXFET
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 1,79 zł
    za szt. (2000 na rolce)
MOSFET N-kanałowy 17 A DPAK (TO-252) 100 V SMD Pojedynczy 79 W 155 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu17 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło100 V
  • Typ opakowaniaDPAK (TO-252)
  • SeriaHEXFET
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 2,51 złza szt.
MOSFET N-kanałowy 110 A TO-220AB 55 V Pojedynczy 200 W 8 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu110 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło55 V
  • Typ opakowaniaTO-220AB
  • SeriaHEXFET
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 6,68 zł
    za szt. (w tubie á 50)
MOSFET N-kanałowy 7,3 A TO-220 FP 650 V Pojedynczy 32 W 600 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu7,3 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło650 V
  • Typ opakowaniaTO-220 FP
  • SeriaCoolMOS™ C3
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 8,78 zł
    za szt. (opak. á 2)
Układ przełącznika zasilania 0.7A SOT-223 SMD Przełącznik górnej gałęzi 40 V Strona wysoka
  • Typ wyłącznika zasilaniaPrzełącznik górnej gałęzi
  • Topologia przełącznika zasilaniaStrona wysoka
  • Rezystancja przełączania0.4Ω
  • Maksymalne robocze napięcie zasilania40 V
  • Maksymalny prąd roboczy0.7A
Podobne produkty w kategorii Układy scalone wyłączników zasilania
  • 3,94 zł
    za szt. (4000 na rolce)
Układ przełącznika zasilania 0.7A SOT-223 SMD Przełącznik high side 40 V Strona wysoka
  • Typ wyłącznika zasilaniaPrzełącznik high side
  • Topologia przełącznika zasilaniaStrona wysoka
  • Rezystancja przełączania0.4Ω
  • Maksymalne robocze napięcie zasilania40 V
  • Liczba wyjść1
Podobne produkty w kategorii Układy scalone wyłączników zasilania
  • 21,35 zł
    za szt. (opak. á 3)
IGBT Ic 30 A Uce 1350 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora30 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter1350 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±20V
  • Maksymalna strata mocy349 W
  • Typ opakowaniaTO-247
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
Ostatnio wyszukiwane
FAQ
W czym możemy pomóc?
Kontakt z Działem Obsługi Klienta:
22 223 11 11