Elementy dyskretne
KATEGORIE
Elementy dyskretne
(3)
Diody PIN
(210)
Diody przełączające
(264)
Diody TVS
(1037)
Diody Zenera
(114)
Prostowniki mostkowe
(1337)
Tranzystory bipolarne
(173)
Tranzystory IGBT
(55)
Tranzystory JFET
(1779)
Tranzystory MOSFET
(121)
Układy Darlingtona
Cena (netto / bez podatku VAT) | Opis | Informacje o produkcie |
|
Mostek prostowniczy Jednofazowy 500mA 600V SOIC
|
|
MOSFET N-kanałowy 75 A TO-220AB 55 V Pojedynczy 285 W 8 mΩ
|
||
|
MOSFET N-kanałowy 75 A TO-220AB 55 V Pojedynczy 285 W 8 miliomów
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 115 mA SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 200 mW 7,5 oma
|
|
Mostek prostowniczy Jednofazowy 800mA 1000V Połączenie silikonowe SOIC
|
||
|
Mostek prostowniczy Jednofazowy 800mA 1000V SOIC
|
|
|
MOSFET P-kanałowy 20 A SOIC 30 V SMD Pojedynczy 2.5 W 5 miliomów
|
|
MOSFET P-kanałowy 20 A SOIC 30 V SMD Pojedynczy 2,5 W 5 mΩ
|
||
MOSFET N-kanałowy 2,3 A SOT-23 150 V SMD Pojedynczy 1,6 W 273 mΩ
|
||
|
MOSFET N-kanałowy 2,3 A SOT-23 150 V SMD Pojedynczy 1,6 W 273 mΩ
|
|
MOSFET N-kanałowy 69 A TO-3PN 250 V Pojedynczy 480 W 41 miliomów
|
||
|
MOSFET N-kanałowy 69 A TO-3PN 250 V Pojedynczy 480 W 41 miliomów
|
|
Tranzystor NPN TO-204AA 90 V Otwór przezierny 30 A MJ802G
|
||
Tranzystor NPN TO-204AA 90 V Otwór przezierny 30 A MJ802G
|
||
|
MOSFET N-kanałowy 57 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 44 W 14 miliomów
|
|
MOSFET N-kanałowy 57 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 44 W 14 miliomów
|
||
MOSFET N-kanałowy 6,5 A SOIC 20 V SMD Izolacja 2 W 30 miliomów
|
||
|
MOSFET N-kanałowy 6.5 A SOIC 20 V SMD Izolacja 2 W 30 miliomów
|
|
Tranzystor NPN TO-204 250 V Otwór przezierny 16 A MJ21194G
|
||
MOSFET N-kanałowy 500 mA TO-92 60 V Pojedynczy 830 mW 5 omów
|
Ostatnio wyszukiwane