Elementy dyskretne
KATEGORIE
Elementy dyskretne
(3)
Diody PIN
(215)
Diody przełączające
(289)
Diody TVS
(1049)
Diody Zenera
(114)
Prostowniki mostkowe
(1367)
Tranzystory bipolarne
(173)
Tranzystory IGBT
(55)
Tranzystory JFET
(1827)
Tranzystory MOSFET
(123)
Układy Darlingtona
Cena (netto / bez podatku VAT) | Opis | Informacje o produkcie |
MOSFET N-kanałowy 12.8 A TO-220AB 100 V Pojedynczy 65 W 180 miliomów
|
||
|
Mostek prostowniczy Jednofazowy 500mA 600V SOIC
|
|
MOSFET N-kanałowy 75 A TO-220AB 55 V Pojedynczy 285 W 8 mΩ
|
||
|
MOSFET N-kanałowy 75 A TO-220AB 55 V Pojedynczy 285 W 8 miliomów
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 115 mA SOT-23 60 V SMD Pojedynczy 200 mW 7,5 oma
|
|
|
Mostek prostowniczy Jednofazowy 800mA 1000V SOIC
|
|
Mostek prostowniczy Jednofazowy 800mA 1000V Połączenie silikonowe SOIC
|
||
|
MOSFET P-kanałowy 20 A SOIC 30 V SMD Pojedynczy 2.5 W 5 miliomów
|
|
MOSFET P-kanałowy 20 A SOIC 30 V SMD Pojedynczy 2,5 W 5 mΩ
|
||
MOSFET N-kanałowy 2,3 A SOT-23 150 V SMD Pojedynczy 1,6 W 273 mΩ
|
||
|
MOSFET N-kanałowy 2,3 A SOT-23 150 V SMD Pojedynczy 1,6 W 273 mΩ
|
|
MOSFET N-kanałowy 69 A TO-3PN 250 V Pojedynczy 480 W 41 miliomów
|
||
|
MOSFET N-kanałowy 69 A TO-3PN 250 V Pojedynczy 480 W 41 miliomów
|
|
MOSFET N-kanałowy 32 A TO-220 60 V Pojedynczy 79 W 45 miliomów
|
||
MOSFET N-kanałowy 32 A TO-220 60 V Pojedynczy 79 W 45 mΩ
|
||
Tranzystor NPN TO-204AA 90 V Otwór przezierny 30 A MJ802G
|
||
Tranzystor NPN TO-204AA 90 V Otwór przezierny 30 A MJ802G
|
||
|
MOSFET N-kanałowy 57 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 44 W 14 miliomów
|
|
MOSFET N-kanałowy 57 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 44 W 14 miliomów
|
||
|
MOSFET N-kanałowy 6.5 A SOIC 20 V SMD Izolacja 2 W 30 miliomów
|
Ostatnio wyszukiwane