Elementy dyskretne
KATEGORIE
Elementy dyskretne
(50)
Diody PIN
(58)
Diody przełączające
(79)
Diody TVS
(20)
Prostowniki mostkowe
(234)
Tranzystory bipolarne
(939)
Tranzystory IGBT
(4306)
Tranzystory MOSFET
(157)
Tyrystory
Cena (netto / bez podatku VAT) | Opis | Informacje o produkcie |
|
Moduł IGBT Ic 54 A Uce 1200 V EASY2B 3-fazy kanał: N 215 W
|
|
|
Moduł IGBT Ic 54 A Uce 1200 V EASY2B 3-fazy kanał: N 215 W
|
|
|
Cyfrowy tranzystor NPN SOT-23 50 V Montaż powierzchniowy 100 mA BCR133E6327HTSA1
|
|
|
MOSFET P-kanałowy 2.3 A SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 1.25 W 165 miliomów
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 110 A TO-220AB 55 V Pojedynczy 200 W 8 mΩ
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 110 A TO-220AB 55 V Pojedynczy 200 W 8 miliomów
|
|
|
Dioda PIN, SC-79, 2-pinowy Montaż powierzchniowy, 1.2 x 0.8 x 0.55mm
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 7.3 A TO-220 FP 650 V Pojedynczy 32 W 600 miliomów
|
|
|
Dioda 89A Montaż na panelu 1600V Połączenie silikonowe Wspólna katoda DD89N16KKHPSA1
|
|
|
Dioda 89A Montaż na panelu 1600V Połączenie silikonowe Wspólna katoda DD89N16KKHPSA1
|
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1350 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W
|
|
|
Dioda PIN, SC-79, 2-pinowy Montaż powierzchniowy, 1.2 x 0.8 x 0.55mm
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 7,3 A TO-220 FP 650 V Pojedynczy 32 W 600 miliomów
|
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 1350 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 202 A TO-220AB 40 V Pojedynczy 333 W 4 miliomy
|
||
|
Moduł IGBT Ic 54 A Uce 1200 V AG-EASY2B-1 3-fazy kanał: N 215 W
|
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy 428 W
|
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 600 V TO-247 Pojedynczy 428 W
|
|
|
Moduł tyrystorowy 471A 1600V Infineon PCT 14500A Moduł 60 mm
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 202 A TO-220AB 40 V Pojedynczy 333 W 4 mΩ
|
Ostatnio wyszukiwane
