Toshiba

Półprzewodniki

Wyświetlono 1 - 20 z 764 produktów
Porównaj wybrane produkty 0/8
Wyświetl jako:
Cena
(netto / bez podatku VAT)
Opis
Informacje o produkcie
  • 6,96 zł
    za szt. (opak. á 5)
MOSFET N-kanałowy 6 A SC-67 800 V Pojedynczy 45 W 1,7 oma
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu6 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło800 V
  • Seria2SK
  • Typ opakowaniaSC-67
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 13,42 zł
    za szt. (opak. á 2)
MOSFET N-kanałowy 9 A TO-3PN 900 V Pojedynczy 150 W 1.3 Ω
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu9 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło900 V
  • Typ opakowaniaTO-3PN
  • Seria2SK
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 25,56 złza szt.
IGBT Ic 60 A Uce 600 V TO-3PLH Pojedynczy kanał: N
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora60 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter600 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±25V
  • Typ opakowaniaTO-3PLH
  • Typ montażuOtwór przezierny
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 0,96 zł
    za szt. (opak. á 5)
MOSFET P-kanałowy 10 A SOP 30 V SMD Pojedynczy 1,9 W 17 miliomów
  • Typ kanałuP
  • Maksymalny ciągły prąd drenu10 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło30 V
  • Typ opakowaniaSOP
  • SeriaTPC
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 16,25 złza szt.
Tranzystor NPN TO-3PL 200 V Otwór przezierny 15 A 2SC5949-O(Q)
  • Typ tranzystoraNPN
  • Maksymalny prąd DC kolektora15 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter200 V
  • Typ opakowaniaTO-3PL
  • Typ montażuOtwór przezierny
Podobne produkty w kategorii Tranzystory bipolarne
  • 1,63 zł
    za szt. (2500 na rolce)
MOSFET P-kanałowy 10 A SOP 30 V SMD Pojedynczy 1,9 W 17 miliomów
  • Typ kanałuP
  • Maksymalny ciągły prąd drenu10 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło30 V
  • SeriaTPC
  • Typ opakowaniaSOP
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 18,64 zł
    za szt. (w tubie á 25)
IGBT Ic 50 A Uce 600 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 230 W
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora50 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter600 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±25V
  • Maksymalna strata mocy230 W
  • Typ opakowaniaTO-3P
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 0,44 zł
    za szt. (opak. á 25)
Dioda SOT-346 (SC-59) 300mA Montaż powierzchniowy 85VWysoka prędkość Technologia epitaksjalno-planarna Wspólna katoda
  • Typ montażuMontaż powierzchniowy
  • Typ opakowaniaSOT-346 (SC-59)
  • Maksymalny ciągły prąd przewodzenia300mA
  • Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne85V
  • Konfiguracja diodyWspólna katoda
Podobne produkty w kategorii Diody Schottky'ego i prostownicze
  • 26,96 złza szt.
IGBT Ic 50 A Uce 600 V TO-3P Pojedynczy kanał: N 230 W
  • Maksymalny ciągły prąd kolektora50 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter600 V
  • Maksymalne napięcie bramka-emiter±25V
  • Maksymalna strata mocy230 W
  • Typ opakowaniaTO-3P
Podobne produkty w kategorii Tranzystory IGBT
  • 0,25 zł
    za szt. (opak. á 50)
Tranzystor NPN TO-236MOD (SC-59) 50 V Montaż powierzchniowy 150 mA 2SC2712-Y,LF(T
  • Typ tranzystoraNPN
  • Maksymalny prąd DC kolektora150 mA
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter50 V
  • Typ opakowaniaTO-236MOD (SC-59)
  • Typ montażuMontaż powierzchniowy
Podobne produkty w kategorii Tranzystory bipolarne
  • 0,88 zł
    za szt. (opak. á 25)
Dioda M-FLAT 2A Montaż powierzchniowy 30V Pojedyncza CMS06(TE12L,Q,M)
  • Typ montażuMontaż powierzchniowy
  • Typ opakowaniaM-FLAT
  • Maksymalny ciągły prąd przewodzenia2A
  • Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne30V
  • Konfiguracja diodyPojedyncza
Podobne produkty w kategorii Diody Schottky'ego i prostownicze
  • 2,95 zł
    za szt. (opak. á 50)
Tranzystor bipolarny NPN SC-59 30 V Montaż powierzchniowy 500 mA 2SC2859-Y(TE85L,F)
  • Typ tranzystoraNPN
  • Maksymalny prąd DC kolektora500 mA
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter30 V
  • Typ opakowaniaSC-59
  • Typ montażuMontaż powierzchniowy
Podobne produkty w kategorii Tranzystory bipolarne
  • 22,95 złza szt.
MOSFET N-kanałowy 9 A TO-3PN 900 V Pojedynczy 250 W 1,3 oma
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu9 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło900 V
  • Typ opakowaniaTO-3PN
  • SeriaTK
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 0,88 zł
    za szt. (opak. á 25)
Dioda SOD-323 30mA Montaż powierzchniowy 5V Bariera Schottky'ego Pojedyncza 1SS315(TPH3,F)
  • Typ montażuMontaż powierzchniowy
  • Typ opakowaniaSOD-323
  • Maksymalny ciągły prąd przewodzenia30mA
  • Szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne5V
  • Konfiguracja diodyPojedyncza
Podobne produkty w kategorii Diody Schottky'ego i prostownicze
  • 0,97 zł
    za szt. (opak. á 50)
Tranzystor PNP SOT-346 (SC-59) 120 V Montaż powierzchniowy 100 mA 2SA1163-BL(TE85L,F
  • Typ tranzystoraPNP
  • Maksymalny prąd DC kolektora100 mA
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter120 V
  • Typ opakowaniaSOT-346 (SC-59)
  • Typ montażuMontaż powierzchniowy
Podobne produkty w kategorii Tranzystory bipolarne
  • 13,51 zł
    za szt. (w tubie á 25)
MOSFET N-kanałowy 9 A TO-3PN 900 V Pojedynczy 250 W 1,3 oma
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu9 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło900 V
  • SeriaTK
  • Typ opakowaniaTO-3PN
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 6,44 zł
    za szt. (2000 na rolce)
MOSFET N-kanałowy 11,5 A DPAK (TO-252) 600 V SMD Pojedynczy 100 W 340 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu11,5 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło600 V
  • SeriaTK
  • Typ opakowaniaDPAK (TO-252)
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 8,67 zł
    za szt. (opak. á 5)
Tranzystor NPN TO-3P 230 V Otwór przezierny 15 A 2SC5200N(S1,E,S)
  • Typ tranzystoraNPN
  • Maksymalny prąd DC kolektora15 A
  • Maksymalne napięcie kolektor-emiter230 V
  • Typ opakowaniaTO-3P
  • Typ montażuOtwór przezierny
Podobne produkty w kategorii Tranzystory bipolarne
  • 6,21 zł
    za szt. (opak. á 5)
MOSFET N-kanałowy 72 A TO-220 120 V Pojedynczy 225 W 4.4 mΩ
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu72 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło120 V
  • SeriaTK
  • Typ opakowaniaTO-220
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
  • 10,69 zł
    za szt. (opak. á 4)
MOSFET N-kanałowy 11,5 A DPAK (TO-252) 600 V SMD Pojedynczy 100 W 340 miliomów
  • Typ kanałuN
  • Maksymalny ciągły prąd drenu11,5 A
  • Maksymalne napięcie dren-źródło600 V
  • Typ opakowaniaDPAK (TO-252)
  • SeriaTK
Podobne produkty w kategorii Tranzystory MOSFET
Ostatnio wyszukiwane
FAQ
W czym możemy pomóc?
Kontakt z Działem Obsługi Klienta:
22 223 11 11